2021年 第十九届
Top10 Power电源产品奖
Top10 Power电源产品奖是由21ic电子网主导的，行业内备受认同的关于电源类产品的奖项。该奖项于2003年开始进行评选，与21ic电子网的电源技术研讨会属于同期的重要活动，该项评奖近20年来获得了电源业不同从业人士高度认可和赞扬。该奖项的参选范围包括所有电源类产品，获得该殊荣则代表着该产品在本年度具有极高的产品力和技术创新。
获奖公示已报名产品展示区
ST ACEPACK Drive
ACEPACK DRIVE 是一款紧凑型六合一模块，针对混合动力和电动汽车牵引逆变器进行了优化。该电源模块采用基于第三代碳化硅功率 MOSFET 的开关，具有极低的 RDS(ON)、极低的开关损耗和在同步整流工作模式下的出色性能。这将确保最终应用的卓越效率，节省电池充电周期。带有结构的铜基板使该电源模块可以直接流体冷却从而最大限度地降低热阻。
产品类别：汽车级ACEPACK DRIVE模块
参选奖项：Top10 Power，技术突破奖
HR1211-多模式 PFC 和电流模式 LLC 数字组合控制器
75W ~ 1kW 超宽功率应用范围, 高功率密度， 低功耗， 高效率， 超低谐波，业界首创产品 HR1211 是一款多模式 PFC 和电流模式 LLC 数字组合控制器，可通过 UART 接口配置。其集成的节能技术有助于在整个工作电压范围内优化效率。PFC 控制器采用获得专利的数字平均电流控制方案，以实现连续导通和断续导通混合工作模式。在重载下，连续导通模式可以降低 MOSFET 的峰值电流，扩大控制器的负载范围。在轻载下，断续导通模式可降低开关频率，以实现更高效率。突发模式采用可配置的数字软切换，可改善轻载效率，降低音频噪声。 LLC 级采用电流控制模式，可以实现出色的稳定性和快速响应。根据不同的负载条件，可执行三种不同的运行模式：稳态模式、跳频模式和突发模式。通过这种方法，可以分别优化不同负载条件下的效率。在轻载下，采用由频率控制的数字突发模式来降低开关功率损耗和音频噪声。
产品类别：AD-DC类（PFC&LLC 控制器）
参选奖项：Top10 Power，最佳应用奖
RTO6示波器
R&S®RTO6示波器经过优化，具备高输入灵敏度和极低的固有噪声，能够执行精确测量。独特的高分辨率模式可实现高达16 位的分辨率，以前无法查看的电源信号细节变得可见。每秒可显示多达一百万个波形。快速 FFT捕获、分析和显示频谱分析结果，发现电源路径上或EMI调试期间出现的偶发干扰。可以使用区域触发功能来隔离这些干扰，以便在时域和频域中进行详细分析。R&S®RTO6示波器具备业界领先的FFT分析功能，用户可借此查看开关特性，或对耦合到电源路径上的信号（如3G或Wi-Fi信号）进行快速扫描。FFT算法可用于独立分析频谱，无需考虑时域设置。它可以快速展示电源路径的全面特性。R&S®RTO6-K31选件可帮助用户测试电源输入端，控制环路，电源路径，输出端特性，只需按下按钮，即可得到测量结果并自动生成测试报告。配合R&S®RT-ZPR40电源完整性探头，具备业界最佳的±60 V内置偏置，用户可以放大具有较大偏置的小信号，还具有1:1衰减比的低噪声特性、出色的直流负载效应、超过4 GHz的带宽以及集成式高精度电压表，非常适合准确进行低至mV级别的电源完整性测量。
产品类别：示波器
参选奖项：电源测试产品奖
M3系列压敏电阻
M3系列压敏电阻产品采用Littelfuse高功率密度、高性能粉末配方和创新自动化生产工艺制造，其小尺寸（10mm）瓷片达到较大尺寸（14mm）瓷片的电气性能。单次8/20us雷击冲击耐受能力4500A,UL1449定义的15次8/20us雷击冲击耐受能力3000A，同时可以通过IEC 60950-1 Annex Q 6KV/3KA组合波测试的10次冲击。M3系列压敏电阻具有符合RoHS, 无铅，无卤素等环境友好特性， 并获得UL1449、IEC 60950-1和CQC的认证， 是家电、户外LED光驱动电源、开关电源、浪涌防护设备和接地故障断路器应用的理想选择。
产品类别：压敏电阻
参选奖项：绿色节能奖，优化开发奖
M6 MRH25N12U3 抗辐射MOSFETs
M6 MRH25N12U3抗辐射型250V、0.21欧姆Rds（on）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）获得了商业航天和国防空间应用认证，可用于未来的卫星系统，也可作为现有系统的备用电源。 Microchip耐辐射M6 MRH25N12U3 MOSFET为电源转换电路提供了主要的开关元件，包括负载点转换器、DC-DC转换器、电机驱动和控制以及通用开关。这款MOSFET器件能够承受恶劣的空间环境，增强电源电路的可靠性，并以更高的性能满足MIL-PRF19500/746的所有要求。新器件可以承受高达100 krad和300 krad的总电离剂量（TID）以及高达87 MeV/mg/cm2的线性能量转移（LET）的单一事件效应（SEE）。在验证测试中，器件的晶圆批次耐辐射合格率达到100%。
产品类别：MOSFET
参选奖项：Top10 Power，技术突破奖
LIF120-10BxxR2S-EX导轨系列防爆电源
通过对导轨电源进行了深入的行业调研，金升阳突破了原有导轨电源产品线的技术难题，进行强有力的技术革新，开发出了一款具有宽温度工作范围(相对于导轨电源而言)、体积小、效率高、低纹波噪声和多重保护功能等多个优点的电源产品——LIF120-10BxxR2S-EX导轨系列防爆电源。 LIF120-10BxxR2S-EX系列是可以为客户提供的高性价比、标准导轨式安装、高效节能的绿色防爆电源。产品安全可靠，EMC性能好，EMC及安全规格满足国际IEC/EN/UL62368、IEC/EN60079、UL61010的标准
产品类别：开关电源
参选奖项：Top10 Power，自主创新奖
NCP1680-业界首款专用临界导通模式(CrM)图腾柱PFC控制器
"NCP1680 CrM 图腾柱 PFC 控制器采用新颖的电流限制架构和线路相位检测，同时结合经验证的控制算法，提供高性价比的图腾柱 PFC方案，而不影响性能。该 IC 的核心是内部补偿数字环路控制。该创新器件采用含谷底开关的恒定导通时间 CrM 架构。由于内置非连续导通模式 (DCM)，在频率返走工作期间谷底同步导通，因此可满足现代能效标准，包括那些要求在轻载下提供高能效的标准。 在传统的PFC电路中，整流桥二极管在240 W电源中的损耗约4 W，占总损耗的20%左右。相比之下，PFC级的能效通常为97%，LLC电路实现类似的性能。然而，用 ""图腾柱 ""配置的开关取代有损耗的二极管，并拉入升压PFC功能，可减少电桥损耗，显著提高整体能效。此外，NCP1680可适用于任何开关类型，无论是超级结硅MOSFET还是碳化硅 (SiC) 或氮化镓 (GaN) 等宽禁带开关。 高度集成的NCP1680可使电源设计在通用电源 (90 至 265 Vac) 下以高达350 W的建议功率水平工作。在 230 Vac 电源输入下，基于 NCP1680 的 PFC 电路能够在 300 W实现近 99% 的能效。在外部只需几个简单的器件即可实现全功能图腾柱 PFC，从而节省空间和器件成本。 进一步减少器件数，实现逐周期电流限制，无需霍尔效应传感器。 NCP1680采用小型SOIC-16封装，也可作为评估平台的一部分，支持快速开发和调试先进的图腾柱PFC设计。"
产品类别：PFC控制器
参选奖项：Top10 Power
TEA2209T: 有源桥式整流器控制器
TEA2209T是新一代有源桥式整流器控制器产品，取代了传统二极管桥。 将TEA2209T与低电阻高压外部MOSFET配合使用，可显著提高功率转换器的效率，因为典型的整流二极管正向传导损耗已消除。在90 V (AC)电源电压下，效率可提高约1.4%。 TEA2209T采用硅绝缘(SOI)工艺制成。
产品类别：电源控制芯片
参选奖项：Top10 Power，技术突破奖，最佳应用奖，绿色节能奖，优化开发奖
650 V压铸模功率集成模块
"NXH50M65L4C2SG和NXH50M65L4C2ESG分别是基于标准氧化铝 (AI2O3) 基板和增强型低热阻基板的650 V压铸模功率集成模块 (TMPIM) 。这些模块非常适用于具有高输出功率的强固工业应用，它们包含一个转换器-逆变器-PFC电路，由集成四个75 A、1600 V整流器的单相转换器组成。三相逆变器使用6个集成反向二极管的50 A、600 V的IGBT，双通道交错式PFC包括两个集成反向二极管的75 A、650 V PFC IGBT，和两个50 A、650 V PFC二极管。TMPIM嵌入了一个负温系数 (NTC) 热敏电阻，以在工作期间监测器件温度。 由于该模块以优化的布局和配置进行预封装，与基于 PCB 的分立设计相比，寄生元素非常小，从而实现在 18 kHz 和 65 kHz 之间的宽 PFC 开关频率范围。 高能效的 NXH50M65L4C2SG 和 NXH50M65L4C2ESG 额定电流为 50 A，能在高达 8 kW 的应用中使用。 紧凑的压铸模DIP-26封装尺寸仅73毫米x 47毫米x 8毫米--比当前的方案节省20%的面积，实现了更高的功率密度水平。密封和强固的封装包括一个集成散热片（距引脚6毫米），并提供高水平的耐腐蚀性。 安森美半导体还提供碳化硅 (SiC) 配置选项以进一步提高开关频率和能效。"
产品类别：功率模块
参选奖项：Top10 Power
TEA2017AAT: 数字可配置LLC和多模PFC控制器
TEA2017AAT 是一款可做数字設定的 LLC和PFC一体型的控制IC，适用于 100W 甚至高达 1400W 的高效谐振电源， 它包括LLC控制器和PFC控制器功能。 PFC可配置为在 DCM/QR、CCM 固定频率下运行或支持所有操作模式以优化 PFC 效率的多模式。 这 TEA2017AAT 使构建一个完整的谐振电源成为可能并且相对容易而且组件数量非常少，另外，TEA2017AAT是用较薄且较窄的 SO16 封装。 TEA2017AAT 是基于一个高速可配置硬件状态机的数字架构，可确保非常可靠的实时性能。 在电源供应器开发期间，许多 LLC 和 PFC 控制器的操作和保护参数的设定，可以通过将新设定组合上传到TEA2017这器件中来进行调整，以满足特定应用要求。 并且这些专有的 TEA2017AAT 设定组合内容可以完全被安全的保护，进而防止未经授权的复制及抄袭。 与传统的谐振拓扑相比，TEA2017AAT在 LLC 低功耗模式及低负载下反而显示出非常高的效率。 此模式在电源中运行连续切换（也称为高功率模式）和突发模式之间的区域。 因为 TEA2017AAT 通过调整初级电容器电压的方式来调节系统的 LLC 输出电压，而初级电容器电压，它提供了有关输出功率的准确信息，而这测量出的输出功率决定了操作模式（突发模式、低功耗模式或高功率模式）。 操作模式的转换级别可以是 轻松编程到设备中。 该器件同时包含用于高压启动的低压和高压硅技术、集成驱动器、电平转换器、保护功能和确保零电压切换的电路。 TEA2017AAT/TEA2095T 组合提供易于设计、高效且可靠的电源，提供 90 W 至 1000 W，且外部组件最少。该系统提供非常低的空载输入功率（< 75 mW;包括 TEA2017AAT/TEA2095T 组合在内的整个系统）和从最小到最大负载。 本电源符合能源之星、美国能源部的能效规定、欧盟生态设计指令、欧洲行为准则和其他准则。 因此，可以省略低功率辅助电源进而节省成本！
产品类别：电源控制芯片
参选奖项：Top10 Power，技术突破奖，最佳应用奖，绿色节能奖，优化开发奖
1200 V完整碳化硅MOSFET 2 pack模块
1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模块，基于平面技术，适合18 V到20 V范围内的驱动电压，易于用负门极电压驱动。它的较大裸芯片与沟槽式MOSFET相比，降低了热阻，从而在相同的工作温度下降低了裸芯片温度。 NXH010P120MNF配置为2-PACK半桥架构，是采用F1封装的10 mohm器件，而NXH006P120MNF2是采用F2封装的6 mohm器件。这些封装采用压接式引脚，是工业应用的理想选择，且嵌入的一个负温系数 (NTC) 热敏电阻有助于温度监测。
产品类别：电源模块
参选奖项：Top10 Power
LM25149：首款具有集成式有源EMI滤波器的先进直流/直流控制器
LM25149同步直流/直流降压控制器是业界具有集成式有源 EMI 滤波器的先进直流/直流控制器，支持工程师实现超小的低 EMI 电源设计。设计人员可以使用该器件来减小工业和汽车电子产品中电源的尺寸并降低 EMI。 降低电源中的 EMI 是一项日益严峻的设计挑战。以前，确保设计符合传导 EMI 规格的方法是增加外部无源 EMI 滤波器的尺寸，这反而增加了电源解决方案的整体尺寸。通过集成式有源 EMI 滤波器，LM25149 使工程师能够满足 EMI 标准，同时提高设计的功率密度。工程师可将外部 EMI 滤波器的面积减半，将电源设计中多个频带上的传导 EMI 降低多达55 dBµV，或者同时缩减滤波器尺寸和降低 EMI。 在开关电源设计中，实现低 EMI 电源和小尺寸解决方案通常是相互矛盾的。但是，LM25149支持工程师满足具有挑战性的 EMI 标准，并通过减小无源 EMI 滤波器的面积和体积来缩减解决方案尺寸。与同类竞争解决方案相比，在 440 kHz 频率下，工程师最多可以将前端 EMI 滤波器的面积和体积分别缩减近 50% 和 75% 以上。通过减小无源元件的滤波负载，集成式有源EMI滤波器可减小无源元件的尺寸、体积和成本，从而使工程师实现尺寸更小、EMI更低的电源设计。 LM25149控制器通过实现交错式双相操作以及集成自举二极管、环路补偿和输出电压反馈元件，进一步提高了功率密度，进而降低设计复杂度和成本。工程师还可以利用外部反馈和环路补偿进一步优化其设计。
产品类别：同步降压直流/直流控制器
参选奖项：Top10 Power，技术突破奖
Vicor 1200A ChiP-set 4609
高性能人工智能 (AI) 处理器需要电压不足 1V、电流高达数百安培的电源。为了最大限度提高 AI 处理器性能，Vicor 推出了合封电源稳压器芯片组，该芯片组并非基于多相稳压器方案，而是一种叫做“分比式电源”的架构。这款高密度芯片组包含一款驱动器 MCD4609 和一对 MCM4609 电流倍增器模块，可在不足 1V 的电压下提供高达 650A 的持续电流，以及高达 1200A 的峰值电流。Vicor Hydra II 演示板重点演示以使用多相位无法实现的大电流为 AI 处理器供电的部署与操作。该芯片组可采用客户特定的行业标准 OCP 加速器模块 (OAM) PCB 封装，用于多个 AI 处理器设计。 电流较大时，最大限度降低 PDN 损耗非常重要，因为这会为整体电源系统性能造成 20% 以上的效率损耗。MCM4609 器件尺寸仅为 45.7 x 8.6 x 3.2 毫米，可以让这些电流倍增器模块布置在靠近处理器的地方，最大限度降低 PDN 损耗，同时还有助于提高整体电源系统效率。此外，MCM4609 模块噪声也非常低，符合处理器附近的重要信号完整性要求。MCM4609 由 MCD4609 模块驱动，该模块接收 48V 电压，可创建支持高密度、低噪声 48V 直接至 1V 以下转换的整体系统，充分满足业界一流 AI 处理器的需求。
产品类别：电源模块
参选奖项：技术突破奖
UltraBKTM MYTN系列-超薄、完全集成的2级负载点降压型DC-DC电源模块
UltraBKTM MYTNA系列采用创新的两级设计，实现了极低的高度和紧凑的占板面积。 与传统设计相比，此设计集成了第一级的开关电容器，以及第二级的降压型DC-DC转换器。由于第一级电荷泵的分频降压，使得第二级可以使用更低电压 MOSFET 和更小的输出电感。 该电容网络提供了几乎无损的输入电压任意比例转换，使整体运行效率高达 90.5%。 输出电感器比同类传统电路小约 10 倍，使整个转换器能够安装在仅 2.1mm高的 10.5mm x 9.0mm LGA 封装中。 此外，电磁辐射 (EMI) 可低至 20 dB。 4A 和 6A 产品已经以 IC 或 模块形式提供，更高功率的产品即将发布。
产品类别：降压稳压器
参选奖项：Top10 Power，技术突破奖，绿色节能奖
NCP51561-隔离型 SiC MOSFET 门极驱动器
NCP51561 是隔离型双通道门极驱动器，具有 4.5 A 源电流和 9 A 灌电流峰值能力，适用于硅功率 MOSFET 和基于 SiC 的 MOSFET 器件的快速开关，提供短且匹配的传播延迟。 两个独立的 5 kVRMS (UL1577 级) 电隔离门极驱动器通道可用作图腾柱开关中两个下桥、两个上桥开关或一个半桥驱动器，具有可编程的死区时间。 一个使能引脚将同时关断两个输出，且 NCP51561 提供其他重要的保护功能，如用于两个门极驱动器的独立欠压锁定 (UVLO) 和使能功能。
产品类别：隔离型双通道门极驱动
参选奖项：Top10 Power
GMICP2731-10 氮化镓单片微波集成电路（GaN MMIC）
GMICP2731-10 氮化镓单片微波集成电路（GaN MMIC）是Microchip的首款GaN MMIC，专为商业和国防卫星通信、5G网络以及其他航空航天和国防系统而设计。 GMICP2731-10采用碳化硅基氮化镓技术制造。它可在27.5至31 GHz之间的3.5 GHz带宽上提供高达10W的饱和射频输出功率。GMICP2731-10的功率在此基础上可再提高20%；小信号增益为22 dB；回波损耗为15 dB。此外，新器件具有平衡结构，可以很好地匹配50欧姆电阻，并在输出端集成直流阻断电容，以简化设计集成。 与GaAs同类产品相比，高功率SSPA中使用的GaN MMIC可以降低30%以上的功耗和重量，这对卫星OEM来说是一个巨大的优势。新产品体现了氮化镓技术的优势，满足了原始设备制造商对尺寸、重量、功耗和成本的要求。
产品类别：功率放大器
参选奖项：Top10 Power，技术突破奖
采用空间节省型LFPAK56D封装的半桥MOSFET
创新的封装可降低 60% 的寄生电感并改善热性能。 采用节省空间的 LFPAK56D 封装格式构建的一组半桥（高边与低边）MOSFET。由于可省去外部 PCB 走线，因此与用于三相电机控制拓扑的传统双通道 MOSFET 相比，占用的 PCB 面积减少了 30%，同时允许在生产过程中进行简单的自动光学检测 (AOI)。 LFPAK56D 半桥封装采用现有的大批量 LFPAK56D 组装工艺，具有久经考验的车规级可靠性。封装采用灵活的海鸥脚来提高整体可靠性，MOSFET 之间的内部铜夹连接简化了 PCB 设计，并带来了具有卓越电流处理能力的即插即用型解决方案。 符合 AEC-Q101 标准的 Nexperia LFPAK56D 半桥封装，广泛适用于汽车动力系统三相桥和高性能开关的应用，例如燃油泵和水泵、电机控制和 DC/DC 电源转换。这项新技术已经在主要汽车客户的设计和承诺中取得了成功。
产品类别：MOSFET (功率器件）
参选奖项：Top10 Power，技术突破奖，最佳应用奖，优化开发奖
UJ4C系列-第四代SiC FETs
UJ4C系列SiC FETs是市场上唯一750V SiC FETs，也是市场上首个第四代SiC FETs产品。该系列可以使用最大为 +/20V 的0V-12V栅极驱动安全地从完全关闭驱动到完全增强的通道。这些 SiC FET 提供18～60mohm 选项，提供无与伦比的 FoM（品质因数）。在硬开关应用中，第4代FET表现出最低的导通电阻和存储的输出能量，提供极低的RDS(on)xEOSS(mohm-uJ)分量，从而降低导通和关断损耗。在软开关应用中，它们的低输出电容导致低 RDS(on)xCoss(tr)(mohm-nF) 规格，从而提供更低的传导损耗和更高的工作频率。 凭借广泛兼容的+/-20V、5V Vth栅极驱动，所有器件都可以用 0 至 +12V 栅极电压驱动。 这意味着它们可与现有的 SiC MOSFET、Si IGBT 和 Si MOSFET 栅极驱动器配合使用。 同时高最大栅极驱动电压允许其在现有设计电路中直接替代 IGBT、Si和SiC MOSFET，而对栅极驱动布置进行很少或无需修改。而且具有额外的优势，在高频切换时，所需的栅极驱动功率也很小。
产品类别：SiC FETs
参选奖项：Top10 Power，技术突破奖
DA913X-A系列-高效大电流汽车级步降DC-DC（降压）转换器
Dialog最新高效大电流汽车级步降DC-DC（降压）转换器DA913X-A产品系列，所需的外部元件比竞争方案更少，实现更低的BOM成本和更小的解决方案尺寸。该系列器件的工作效率超过90%，可在许多汽车系统设计中降低大电流供电的散热挑战，包括车载信息娱乐系统、导航系统、遥测、高级驾驶辅助系统（ADAS）等。 DA913X-A系列包含三个器件，分别配置为单或双输出降压转换器。DA9130-A为单通道、双相降压转换器，提供最高10A输出电流。DA9131-A集成了两个单相降压转换器，各提供最高5A输出电流。
产品类别：DC-DC（降压）转换器
参选奖项：Top10 Power
HSA-8000-数字电源控制器
HSA8000 控制器采用模数混合的架构，旨在并行处理软硬任务，相比同类控制器能在相同的CPU时钟下处理更多的实时任务；内部集成丰富的模拟外设和灵活的数字控制模块，助力高效率、高功率密度、低功耗数字电源行业应用，全负载范围内效率明显优于同类控制器，为碳达峰、碳中和提供助推动力；是国内已知的首颗数字电源控制专用芯片。
产品类别：数字电源类
参选奖项：技术突破奖，绿色节能奖，自主创新奖，优化开发奖
IGI60F1414A1L：CoolGaN™ 集成式功率级（IPS）
英飞凌 CoolGaN™ 集成式功率级（IPS）采用市面上最可靠的 GaN 技术， 将超高能源效率和可靠性与易用性相结合。 CoolGaN™ IPS 搭配了 CoolGaN™ 常关增强模式 GaN 开关与专用集成式栅极驱动器， 采用热增强 8x8mm 小型 QFN 封装。 集成式设计有利于设计者在减少无源元件尺寸的基础上节省更多的 PCB 空间， 以实现更小的外形尺寸设计。 CoolGaN™ IPS 是英飞凌分立 CoolGaN™ 技术的演进和下一步计划。 英飞凌完善了 GaN 增强模式方案，并可进行大批量端到端生产。 领先的质量确保极高的标准， 于市场上的一众GaN HEMTs产品中提供了极为可靠且性能优越的解决方案。 如今的 CoolGaN™ IPS 600V 系列包括多种配置， 如利用两个 GaN 晶体管（2x140mΩ 或 2x200mΩ）和驱动器的半桥器件， 采用 8x8mm 小型 QFN-28 封装，以及利用 140mΩ CoolGaN™ 功率晶体管和驱动器的单沟道配置， 采用紧凑型 8x8mm QFN-21 封装。
产品类别：功率半导体类
参选奖项：Top10 Power，技术突破奖，最佳应用奖，绿色节能奖
用于先进48V电池系统的强大 Grade 0汽车栅极驱动器AMT49101
Allegro MicroSystems（以下简称Allegro）具有更强大功能的80V电机驱动器IC AMT49101可理想用于先进的48V汽车系统，能够有效地满足电动汽车对于高灵活性、高度可靠解决方案的迫切需求，完全集成的全新栅极驱动器系列基于Allegro数十年的产业经验，具有优化的架构和性能，直接减轻车身重量、提高电池/燃油效率和驾驶安全性，为客户和汽车用户带来优势。 AMT49101栅驱动器具备客户所期望的稳健设计和性能，能够满足任何负载配置要求，包括具有独立高侧和低侧输出的半桥到三相无刷直流（BLDC）控制。这些器件经由专门针对48V系统的高压工艺技术开发，完全符合 ISO 26262流程，可提供世界一流的 ASIL 诊断和诊断验证。 集成式诊断功能可指示多个内部故障、系统故障和功率桥故障，并可配置为在大多数短路条件下保护功率 MOSFET。对于安全关键系统，可以在串行接口控制下验证集成诊断操作。AMT49101专为满足当今和未来的汽车需求而设计，可提供业内最佳的诊断功能。Allegro 的 ASIL 栅极驱动器包括 20 多个诊断功能，使客户能够诊断和验证，并对故障采取具体措施，是安全重要系统的理想选择。 AMT49101 可以编程为与固定频率降压稳压器使用，产生主稳压电压VREG ，或与外部产生的稳压电源一起运行，驱动 VREG 端子。
产品类别：电机驱动器
参选奖项：Top10 Power，最佳应用奖，绿色节能奖，优化开发奖
EL30000台式电子负载
EL30000 台式电子负载是为电源和电池研发工程师们打造的新一代基础型电子负载， 单通道和双通道， 350/600W功率； 0-150V电压， 0-60A拉载电流 CC， CV， CR， CP4种工作模式。 它不仅融入了高端电子负载的性能， 在技术指标、易用性等方面， 树立了基础性台式电子负载的新标杆 1 大屏幕显示， 提供了前所未有的易用性体验 · 同时显示每个通道的所有参数， 让操作者一目了然 · 可以在前面板上轻松实现图形化编辑， 波形编辑包括List、占空比可调方波、脉冲、键控（2状态）四种模式 · 内置高速、高分辨率数字化仪，捕获的波形直接在前面板显示 · 独有的数据记录仪功能，提供5,000,000个数据和长达10，000小时的电压和电流数据，通过面板即可完成设置和显示。 数据（可选CSV格式）可一键式导出至U盘。 2 配合是德科技的BenchVue 和TestFlow 软件平台， 不用写一句代码， 例如拖拽就可生成自动测试程序。 几杯茶的功夫，即可完成高达20000个点的效率曲线测试！
产品类别：电子负载
参选奖项：电源测试产品奖
XDPE132G5D & XDPE132G5H MP：数字PWM控制器
英飞凌针对大功率DC/DC应用场景提供业界首个16相数字控制器，适用于人工智能、路由器、交换机、基站和电信业中核心计算单元（ASIC/GPU/CPU/FPGA）的供电，满足该应用场景对供电电源高效率、高功率密度以及高可靠性的要求。 功能介绍： 1.单一数字控制器可以支持最多16相交错并联输出，省略了传统设计所必需的高达8颗PWM doubler芯片，提高了正常工作时的动态和均流性能，大幅提升了电源的可靠性以及功率密度 2.自适应动态响应算法（ATA）最大程度地降低输出大电容的数量，节约系统成本 3.全面的保护功能：OVP、UVP、OT告警和保护以及Cycle-by-Cycle相电流限制等 4.Cycle-by-cycle 电流监测和上报 5.故障信号输出管脚（CAT_FLT） 6.每一相故障检测后的保护、标识和自动补偿能力 7.输入过功率标识 8.相间动态均衡算法自动加减相功能和二极管续流模式提升系统效率 9.高速相间动态均衡算法提升系统可靠性 10.高达25次的数据刻录次数 11.开关频率选择范围从200KHz到2MHz 12.工作温度范围-40到+125摄氏度 13.无铅无卤PQFN 7x7封装56管脚（间距0.4 mm）
产品类别：数字PWM控制器
参选奖项：Top10 Power，技术突破奖，最佳应用奖，绿色节能奖
ISL81801/81802
ISL81801升降压控制器像“片上不间断电源UPS”一样，进行恒压和恒流两种模式控制调节双向电流流动（正向或反向）。这个创新设计可实现使用单一控制器对电池或超级电容器进行充电和对负载供电。ISL81801结合目前业界最高的80V升降压开关频率（600kHz）和最小封装（5mmx5mm），使设计人员能够创建超紧凑、高密度的电源解决方案。输入电压范围从4.5V至80V的宽压范围非常适合众多常见应用，包括48V电机驱动器、5G通信基站、工业电池备用储能系统和太阳能供电系统等。 ISL81802是一款集成驱动器的单芯片80V两相同步降压控制器，也是业界唯一具备1MHz开关频率的80V两相降压控制器，可使用小型电感来提高功率密度。对于更高功率的应用，可将多个ISL81802冗余并联或者交错并联，并具备同类最佳瞬态响应。ISL81802可产生两个独立的输出，也可以产生一个大电流输出，从而使富有创意的电源工程师能够在平台之间获得极大的灵活性并实现IP复用。此外，具备恒压或恒流两种模式控制的能力开启了广泛的终端用户应用，如LED驱动、数据中心等。
产品类别：80V直流DC/DC控制器
参选奖项：Top10 Power
SiC45x系列-带PMBus接口的microBUCK®同步降压稳压器
Vishay新型SiC45x 系列 microBUCK® 同步降压稳压器采用5 mm x 7 mm封装，峰值效率达 98%，有助于降低数据中心和工业计算机的能耗。microBUCK解决方案可扩展至 40 A，便于设计人员优化性价比。Vishay Siliconix SiC45x 系列稳压器符合PMBus 1.3电源系统管理标准，功率密度和瞬变响应能力优于前代器件。 SiC45x器件在小型封装内含有高性能n沟道沟槽式MOSFET和PWM控制器，提高了功率密度。稳压器静态工作电流低，峰值效率达98%，减少功率损耗。这款集成器件专门用来简化高性能负载点 (POL) 转换器设计，减少配置环路补偿的外部元器件数量。 SiC45x系列稳压器额定电流为15 A、25 A和40 A，输入电压为4.5 V~20 V。整个VIN和VOUT工作电压范围内具有内部补偿功能。器件具有高度配置能力，输入电压范围宽，输出电压在0.3 V~12 V范围内可调。稳压器用途广泛，适合各种应用，包括云计算、企业服务器和工业计算机的POL转换器，以及网络、通信和存储系统。 稳压器开关频率可在300kHz~1.5MHz范围内调节，具有强制连续工作、节能或超声波三种工作模式。所有SiC45x系列器件占位兼容，便于设计者扩展解决方案，从而优化性价比，同时加快设计速度。
产品类别：同步降压稳压器
参选奖项：Top10 Power
Qi® 1.3无线充电参考设计
全新Qi® 1.3无线充电参考设计为面向汽车和消费应用的无线充电系统开发人员提供必要的工具和支持，以实现新一代产品设计的无缝集成和认证。 对于要在限定时间内推出经认证的Qi 1.3发射器的无线充电系统开发人员来说，Microchip三线圈Qi 1.3参考设计为产品开发提供了领先优势。该参考设计将安全存储子系统软件与无线电源单片机（MCU）完全集成，是一个灵活的解决方案，能够实现定制拓扑结构和异物检测（FOD）。 Microchip的Qi 1.3参考设计、工具和服务支持能帮助工程师满足快速发展的开发要求，并使新的Qi 1.3发射器设计易于认证，从而加快了产品上市时间，并简化了终端产品的认证。
产品类别：无线充电方案
参选奖项：Top10 Power，技术突破奖
单节电池保护IC S-82N1B系列
主要是S-82N1B系列的省电功能，在省电工作状态下停止电池放电，同时将保护IC的电流消耗降低至50nA，即存库时间电池消耗几乎为零。
过充电检测电压精度高达±15mV，工作状态下电流消耗仅为990nA (最大值)，为全球最低（*1）。支持长时间驱动。
跟以往产品相比, 无线耳机的待机时间延长了三倍，同时亦有助防止过度放电，显着提高产品安全性。
（*1）基于我们截止2021年7月的研究
产品类别：电池保护IC
参选奖项：Top10 Power，技术突破奖
电机开发套件 (MDK)
MDK适用于从低于1 kW到超过10 kW的应用。这模块化的综合原型平台包括通用控制器板(UCB)和一系列不断扩展的电机驱动评估板之一，软件开发支持来自Xilinx以Vivado®设计套件的形式进行高层次综合。UCB采用Xilinx的Zynq®-7000现场可编程门阵列(FPGA) / ARM 系统单芯片(SoC)，适用于高端控制和基于人工智能(AI)的应用。 USB也可通过Xilinx的开源项目PYNQ使用Python进行编程。UCB与Xilinx开发工具和库完全兼容，并与Trenz Electronic合作开发。MDK汇集了安森美半导体在电源领域的专知和技术，从中低功率的智能功率模块(IPM)到大功率的PIM，及辅助电源控制器、门极驱动器、功率MOSFET、运放、检测等，和先进的封装技术，把这些技术整合到一个单一的生态系统中，开箱即用。
产品类别：电机开发套件
参选奖项：Top10 Power
PE25204-48VIN电荷泵IC，电容分压器降压 DC-DC 转换器
PE25204，世界首款带有集成开关场效应晶体管 (FET) 的 48 伏 4 分频电荷泵电容分压式降压型DC-DC转换控制IC。 交错式开关电容器架构能够以 97% 的峰值效率提供高达 72 瓦的功率，基于村田独特的无损电荷泵技术，提供极低的输入和输出纹波以及出色的抗电磁干扰 (EMI) 性能。 该解决方案占板面积小，高度仅为 1.2mm，非常适合超薄应用和放置在系统板的底部。 PE25204 还可通过并联提供高功率、高效率的解决方案，适用于各种 48V 至 12V 降压转换应用，如数据中心、网络路由器、基站和光学设备。 PSiP 封装格式 (11.5 x 9.5 x 2.1mm) 的电源模块产品也即将发布。
产品类别： DC-DC 转换器
参选奖项：Top10 Power，技术突破奖，最佳应用奖，绿色节能奖
BD9G500EFJ-LA：内置MOSFET的降压型DC/DC转换器IC
BD9G500EFJ-LA”是非隔离型DC/DC转换器IC，利用ROHM擅长的模拟设计技术开发而成，采用电源系统的BiCDMOS高耐压工艺，可提供先进工业设备所需的电源功能。 适用于48V电源系统，具有业内超高的80V耐压，同时由于其内置MOSFET，可实现同类产品中高达5A的输出电流，且支持大功率，从而有助于5G通信基站和充电桩等设备实现更高可靠性和性能。已于2021年5月开始暂以月产10万个的规模投入量产（样品价格 500日元/个，不含税）。新产品和评估板“BD9G500EFJ-EVK-001”和“BD9F500QUZ-EVK-001”已经开始通过电商进行销售，从AMEYA360、SEKORM等电商平台均可购买。 今后，ROHM将充分利用模拟设计技术优势继续开发高性能、高可靠性的产品，持续为工业设备的节能、小型化和安全性贡献力量。
产品类别：DC/DC转换器
参选奖项：Top10 Power，技术突破奖，最佳应用奖，绿色节能奖，优化开发奖
PoE转USB-C电源和数据适配器（PD-USB-DP60）
PD-USB-DP60是业内具有最高功率的PoE转USB-C电源和数据适配器，能通过PoE基础设施支持的以太网电缆提供高达60W的USB输出功率，能为大多数相机、笔记本电脑、平板电脑和其他使用USB-C输入电源的设备供电。该适配器通过减少对AC基础设施的依赖来简化安装。由于无需依赖AC插座，不再受3米的距离限制，新款适配器可将电力输送到100米以外。新款适配器还增强了USB-C电源设备的远程电源管理能力。由PoE源提供的远程电源复位功能，可以通过Web界面或简单网络管理协议（SNMP）进行电源上电复位，无需在设备所在地手动拔掉插头并重新启动。
产品类别：PoE转USB-C适配器
参选奖项：Top10 Power，技术突破奖
BMR491：面向数据中心应用、2450W峰值功率DC/DC模块
BMR491 系列是Flex Power Modules公司第六代四分之一砖型数字控制DC-DC 电源模块，专为数据通信应用而设计。
BMR491xx05/857 转换器可在长达一秒的时间内提供高达 2450 W 的峰值功率，并具有 1540 W 的连续额定输出功率，从而使其跻身于当今功率密度最高的数字控制 DC/DC 隔离转换器之一. 基于这一平台设计的其他机种型号，功率水平都在1300 W 或更高。
BMR491xx05/857 在 48 V 至 60 V 的输入电压范围内运行，并提供标称 12 V 输出，非常适用于数据中心应用。在 48 Vin 半负载时效率高达 98%，BMR491 可提供 高达108.3 至 205 A 的输出电流。
该转换器模块规格上采用行业标准的四分之一砖型，带底板尺寸为 58.4 x 36.8 x 14 毫米（2.30 x 1.45 x 0.55 英寸），还提供高度为 19 毫米的集成散热器，工作温度范围为 -40°C 至 +125°C。
BMR491 系列的某些型号使用 Flex Power Modules 的专有混合调制比 (HRR) 技术，这使它们能够在更窄的输入电压范围下输出更高的功率，以及更优的瞬态性能。 BMR491系列产品包含先进的过压、过热和短路保护机制，使得复杂工况下的工作寿命得以延长，平均无故障时间 (MTBF) 超过 700 万小时。
另外，在散热能力上，包含底板和使用增强的热传导技术有助于散热，还提供集成散热器选项。
BMR491符合 IEC/EN/UL 62368-1 安全标准, 输入到输出隔离为 1500 V。 数字接口可采用 4 针或 7 针 DOSA 标准，并且 BMR491得到Flex Power Designer 软件工具的支持。
Flex Power Designer 软件工具可在Flex Power Modules公司官网上注册下载，链接如下，
https://flexpowermodules.com/flex-power-designer
产品类别：板级DC-DC直流转换器
参选奖项：Top10 Power，技术突破奖，绿色节能奖
BMR685：面向 RFPA 市场的首款1300 W 半砖式数字隔离 DC/DC 转换器
Flex Power Modules 推出 BMR685 DCDC转换器，为高功率射频功率放大器应用提供新的解决方案，非常适用于需要 50 V 电源总线的 LDMOS 和 GaN。该转换器是一款采用半砖设计的高效 DC/DC，提供高达 1300 W 的输出功率。转换器在半负载时提供 97.2% 的高效率。它的输出电压范围为 25 V 至 55 V，可提供高达 26 A 的输出电流。其输入电压范围为 36 V 至 75 V，输入与输出之间的隔离电压为 2250 V。 BMR685 是数字解决方案，可以通过 PMBus 接口访问，轻松监控电源模块的温度、电压和电流，以及简单的输出电压调整。免费的软件工具 Flex Power Designer 为设计者提供软件支持。该转换器的工作温度范围为 -40 °C 至 +125 °C，在 100 °C 基板温度下提供 100% 的可用功率。它包括全面的过压、过温和短路保护机制，这意味着它实现了较长的运行寿命，平均无故障时间 (MTBF) 超过 497 万小时。 BMR685 采用行业标准的半砖格式，尺寸为 61.0 x 57.9 x 12.7 毫米（2.4 x 2.28 x 0.5 英寸）。它符合 IEC/EN/UL 62368-1 的安全要求。
产品类别：DC/DC转换器
参选奖项：Top10 Power，技术突破奖，绿色节能奖
LT8491—集成最大功率点跟踪和I2C的80V降压-升压电池充电控制器
LT8491降压-升压电池充电控制器，具有最大功率点跟踪(MPPT)、温度补偿和I2C接口等特性，适用于遥测和控制。该器件的工作电压可高于、低于或等于经调节的电池浮充电压。LT8491提供三种可选的恒流恒压(CC-CV)充电曲线，因此非常适合为各种化学电池充电，包括密封铅酸电池、凝胶电池、溢流型电池和锂离子电池。所有充电终止算法均已内置，无需开发软件或固件，从而缩短设计周期。 LT8491在6V至80V的输入电压范围内工作，使用单个电感并配合4开关同步整流可以产生1.3V至80V的电池浮充电压输出。该器
产品类别：降压-升压电池充电控制器
参选奖项：绿色节能奖
ADBMS1818—面向工业储能的高精度18通道电池管理芯片
国家“30/60”双碳目标为能源行业变革带来契机，尤其是包含风能太阳能在内的可再生能源构建清洁、安全、高效的能源系统急需储能系统配套，而储能系统则需要智能的电池管理芯片最大化储能系统的工作效率获得最佳效果。 作为ADI中国产品事业部开发的首款产品，高精度18通道电池管理芯片ADBMS1818面向工业电网储能、备用电池系统和高功率便携式设备市场。可测量多达18个串联连接的电池单元，总测量误差小于3mV。ADBMS1818具有0 V至5 V的电池测量范围，适合大多数电池化学应用。可将多个ADBMS1818器
产品类别：电池管理系统BMS
参选奖项：绿色节能奖
基于P9412的全新参考设计
瑞萨电子扩大与无线技术领域的优秀供应商高通的合作，为搭载最新高通® SnapdragonTM 780G 5G移动平台的中端智能手机提供30W无线充电功能。这是两家公司面向大功率无线充电智能手机参考设计的第二次合作。为旗舰机型而设计的首款合作解决方案现已进行商用试样。此次合作是瑞萨和高通两大全球企业携手迈出的重要一步，将高度集成的先进无线充电作为5G智能手机的标准功能，从旗舰机型扩展至主流机型。 高通5G移动参考设计提供的交钥匙解决方案，旨在帮助智能手机OEM在旗舰及中端机型中实现低成本的无线快充，并具有多次可编程（MTP）和OTA更新功能，以简化软件开发与Qi认证流程。瑞萨解决方案以超过85%的端到端系统效率提供超高集成度，有助于将无线充电技术的覆盖范围扩展至更广泛的客户群体，并简化添加无线充电功能的流程。
产品类别：无线电源接收器
参选奖项：最佳应用奖
LMG3525R030-Q1：首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理的车用GaN FET
全新的LMG3525R030-Q1是业界首款具有集成驱动器、保护和主动电源管理功能的先进汽车GaN FET。在高电压、高密度应用中，更大限度地减小布板空间是一个重要的设计考量因素。随着电子系统越来越小，其中的各种元件也必须缩减尺寸和间距。TI的新型GaN FET集成了快速开关驱动器以及内部保护和温度感应功能，使工程师能够在实现高性能的同时减小电源管理设计的布板空间。这种集成加上TI GaN技术的高功率密度，使工程师不再需要分立式解决方案中通常所需的10多个元件。此外，当应用于半桥配置时，每个全新的30 mΩ FET都可以支持高达4 kW的功率转换。 新型GaN FET采用TI的理想二极管模式来降低功耗。例如，在功率因数校正 (PFC) 中，与分立式GaN和SiC金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 相比，理想二极管模式可将第三象限损耗降低多达66%。理想二极管模式还消除了对自适应死区时间控制的需要，从而降低了固件复杂性和开发时间。 TI GaN FET封装的热阻抗比同类封装产品低23%，因此，工程师能够使用更小的散热器，同时简化热设计。
产品类别：GaN FET芯片
参选奖项：Top10 Power，技术突破奖，最佳应用奖，优化开发奖
15W MCP1012 离线参考设计
MCP1012离线辅助器件使系统能将功率和占空比的控制转移到次级侧单片机上。通过简化设计、减小尺寸和成本，系统与负载之间的控制可以实现更加精确和有目的地耦合。 MPC1012初级侧辅助控制器为次级侧单片机提供了系统启动、门控和保护离线反激转换器的功能。该器件具有一系列功能，如直接测量和主动稳压或稳流，通过直接闭环实现高环路带宽，以及简化负载参考系统的通信。 15W MCP102离线参考设计为15W离线电源设计提供了主要工作元素，并配备了必要固件，以消除初级侧辅助电源。这可以降低系统的复杂性，包括消除许多应用中对光耦的需求，如家电和智能音箱。
产品类别：反激式转换器初级启动和次级侧单片控制主电源解决方案
参选奖项：Top10 Power，技术突破奖
InnoSwitch4-CZ & ClampZero
InnoSwitch™4-CZ高频、零电压反激开关(ZVS) IC可以设计出适用于手机、平板电脑和笔记本电脑应用的新型超紧凑型充电器。首批使用InnoSwitch4-CZ和ClampZero™芯片组的消费类设备是Anker的Nano II超小型65W USB-C充电器系列，这将引发消费者对氮化镓及其优势的更大关注。InnoSwitch 4-CZ的其他应用包括电动工具、电动自行车、电表和工业控制。 InnoSwitch4-CZ产品系列与Power Integrations的ClampZero有源钳位IC搭配使用，后者具有集成高压开关，可消除由于钳位和初级开关中的开关损耗而造成的能量浪费，同时保持反激架构的灵活性和低元件数。InnoSwitch4-CZ IC采用薄型InSOP-24D封装，同时集成了PowiGaN™ 750V开关、初级和次级控制器、ClampZero接口、同步整流以及符合安全标准的反馈电路。 InnoSwitch4-CZ IC提供可变输出电压和恒流特性，并且可提供用于输出过压和欠压保护的自动重启动或锁存故障响应方式，以及提供多个输出欠压故障阈值和锁存或迟滞初级过温保护，让设备受到全面保护。高达140kHz的稳态开关频率减小了变压器尺寸，进而提高功率密度。与传统的有源钳位反激方案相比，InnoSwitch4-CZ和ClampZero芯片组可提供高达95%的效率，即使在不同输入电压、系统负载和输出电压下也能保持高效率。这是通过对具有智能零电压开关功能的有源钳位的变频非对称控制来实现的，同时支持连续和非连续导通工作模式。InnoSwitch4-CZ IC可提供优异的恒压/恒流精度，不受外围元件的影响。空载功耗小于40mW。
产品类别：开关IC
参选奖项：Top10 Power，技术突破奖，最佳应用奖，绿色节能奖，优化开发奖
用于SiC-MOSFET和IGBT的辅助栅极驱动变压器AGDT
碳化硅 (SiC) MOSFET 等宽带隙功率半导体器件在电动汽车和可再生能源等许多现代电力电子应用中越来越受欢迎。 它们极快的开关速度能力有助于提高效率并降低系统的整体尺寸和成本。 然而，快速开关以及高工作电压和不断增加的开关频率对栅极驱动器系统提出了重要挑战。 坚固的电流隔离、符合安全标准、控制信号抗扰度和 EMI 性能只是需要考虑的一些最重要方面。 提供电压和电流电平以驱动 SiC/GaN 器件的隔离式辅助电源的优化设计对于帮助全栅极驱动器系统满足最先进应用设定的许多要求至关重要。 伍尔特的辅助栅极驱动变压器AGDT系列可以应用于SiC-MOSFET和IGBT驱动，其特性包括： 绕组间电容低至 6.8 pF 微型表面贴装 EP7 封装 高达 4 kV AC 的介电绝缘 568 Vrms / 800 Vpk 的基本绝缘 安全：IEC62368-1 / IEC61558-2-16 AEC-Q200 认证 工作温度：-40 °C 至 +130 °C SiC MOSFET 的通用控制电压 高共模瞬态抗扰度 (CMTI) 具有初级侧调节的反激式 高达 6 W 的输出功率 9 V 至 36 V 的宽范围输入电压 不同的单极和双极电压 高效率和非常紧凑的解决方案
产品类别：变压器
参选奖项：Top10 Power，技术突破奖