参评奖项
- Top10 Power
推荐理由
1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模块，基于平面技术，适合18 V到20 V范围内的驱动电压，易于用负门极电压驱动。它的较大裸芯片与沟槽式MOSFET相比，降低了热阻，从而在相同的工作温度下降低了裸芯片温度。 NXH010P120MNF配置为2-PACK半桥架构，是采用F1封装的10 mohm器件，而NXH006P120MNF2是采用F2封装的6 mohm器件。这些封装采用压接式引脚，是工业应用的理想选择，且嵌入的一个负温系数 (NTC) 热敏电阻有助于温度监测。
产品主要特性
- 适合18 V到20 V范围内的驱动电压，易于用负门极电压驱动
- 热阻低
- 高能效，高功率密度