参评奖项
- Top10 Power
- 技术突破奖
- 最佳应用奖
- 优化开发奖
推荐理由
全新的LMG3525R030-Q1是业界首款具有集成驱动器、保护和主动电源管理功能的先进汽车GaN FET。在高电压、高密度应用中，更大限度地减小布板空间是一个重要的设计考量因素。随着电子系统越来越小，其中的各种元件也必须缩减尺寸和间距。TI的新型GaN FET集成了快速开关驱动器以及内部保护和温度感应功能，使工程师能够在实现高性能的同时减小电源管理设计的布板空间。这种集成加上TI GaN技术的高功率密度，使工程师不再需要分立式解决方案中通常所需的10多个元件。此外，当应用于半桥配置时，每个全新的30 mΩ FET都可以支持高达4 kW的功率转换。 新型GaN FET采用TI的理想二极管模式来降低功耗。例如，在功率因数校正 (PFC) 中，与分立式GaN和SiC金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 相比，理想二极管模式可将第三象限损耗降低多达66%。理想二极管模式还消除了对自适应死区时间控制的需要，从而降低了固件复杂性和开发时间。 TI GaN FET封装的热阻抗比同类封装产品低23%，因此，工程师能够使用更小的散热器，同时简化热设计。
产品主要特性
- LMG3525R030-Q1是业界首款具有集成驱动器、保护和主动电源管理功能的先进汽车GaN FET。
- 与现有解决方案相比，650V汽车GaN FET具有快速开关的2.2MHz集成栅极驱动器，可帮助工程师提供两倍的功率密度，实现99%的效率并将功率磁性元件的尺寸减小59%。
- 与现有的硅或碳化硅 (SiC) 解决方案相比，使用全新推出的汽车GaN FET可帮助将电动汽车 (EV) 车载充电器和直流/直流转换器的尺寸减小50%，从而帮助工程师实现更长的电池寿命、更高的系统可靠性和更低的设计成本。
- 凭借超过4,000万小时的器件可靠性测试和超过5GWh的功率转换应用测试，德州仪器 (TI) 的GaN技术可为工程师提供符合任何市场要求的可靠寿命。