参评奖项
- Top10 Power
- 技术突破奖
推荐理由
UJ4C系列SiC FETs是市场上唯一750V SiC FETs，也是市场上首个第四代SiC FETs产品。该系列可以使用最大为 +/20V 的0V-12V栅极驱动安全地从完全关闭驱动到完全增强的通道。这些 SiC FET 提供18～60mohm 选项，提供无与伦比的 FoM（品质因数）。在硬开关应用中，第4代FET表现出最低的导通电阻和存储的输出能量，提供极低的RDS(on)xEOSS(mohm-uJ)分量，从而降低导通和关断损耗。在软开关应用中，它们的低输出电容导致低 RDS(on)xCoss(tr)(mohm-nF) 规格，从而提供更低的传导损耗和更高的工作频率。 凭借广泛兼容的+/-20V、5V Vth栅极驱动，所有器件都可以用 0 至 +12V 栅极电压驱动。 这意味着它们可与现有的 SiC MOSFET、Si IGBT 和 Si MOSFET 栅极驱动器配合使用。 同时高最大栅极驱动电压允许其在现有设计电路中直接替代 IGBT、Si和SiC MOSFET，而对栅极驱动布置进行很少或无需修改。而且具有额外的优势，在高频切换时，所需的栅极驱动功率也很小。
产品主要特性
- 市场上第一款也是唯一一款 750V SiC FETs
- 最佳材料的优值
- 高性能共源共栅配置
- 出色的反向恢复和体二极管性能（Vf<2V）
- 超低 RDS(on)：从 18mohm 到 60mohm