参评奖项
- Top10 Power
- 技术突破奖
推荐理由
M6 MRH25N12U3抗辐射型250V、0.21欧姆Rds（on）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）获得了商业航天和国防空间应用认证，可用于未来的卫星系统，也可作为现有系统的备用电源。 Microchip耐辐射M6 MRH25N12U3 MOSFET为电源转换电路提供了主要的开关元件，包括负载点转换器、DC-DC转换器、电机驱动和控制以及通用开关。这款MOSFET器件能够承受恶劣的空间环境，增强电源电路的可靠性，并以更高的性能满足MIL-PRF19500/746的所有要求。新器件可以承受高达100 krad和300 krad的总电离剂量（TID）以及高达87 MeV/mg/cm2的线性能量转移（LET）的单一事件效应（SEE）。在验证测试中，器件的晶圆批次耐辐射合格率达到100%。
产品主要特性
- 商业航天和国防空间应用认证
- 耐辐射合格率100%
- 高质量、高性能、可靠