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推荐理由

碳化硅 (SiC) MOSFET 等宽带隙功率半导体器件在电动汽车和可再生能源等许多现代电力电子应用中越来越受欢迎。 它们极快的开关速度能力有助于提高效率并降低系统的整体尺寸和成本。 然而,快速开关以及高工作电压和不断增加的开关频率对栅极驱动器系统提出了重要挑战。 坚固的电流隔离、符合安全标准、控制信号抗扰度和 EMI 性能只是需要考虑的一些最重要方面。 提供电压和电流电平以驱动 SiC/GaN 器件的隔离式辅助电源的优化设计对于帮助全栅极驱动器系统满足最先进应用设定的许多要求至关重要。 伍尔特的辅助栅极驱动变压器AGDT系列可以应用于SiC-MOSFET和IGBT驱动,其特性包括: 绕组间电容低至 6.8 pF 微型表面贴装 EP7 封装 高达 4 kV AC 的介电绝缘 568 Vrms / 800 Vpk 的基本绝缘 安全:IEC62368-1 / IEC61558-2-16 AEC-Q200 认证 工作温度:-40 °C 至 +130 °C SiC MOSFET 的通用控制电压 高共模瞬态抗扰度 (CMTI) 具有初级侧调节的反激式 高达 6 W 的输出功率 9 V 至 36 V 的宽范围输入电压 不同的单极和双极电压 高效率和非常紧凑的解决方案

产品主要特性

  • 绕组间电容低至 6.8 pF
  • 高达 4 kV AC 的介电绝缘
  • 568 Vrms / 800 Vpk 的基本绝缘
  • 高共模瞬态抗扰度 (CMTI)
  • 高效率和非常紧凑的解决方案

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