参评奖项
- 技术突破奖
- 自主创新奖
推荐理由
Pcell™系列模块 为基本半导体，根据SiC器件特性，结合终端客户需求设计的宽禁带半导体专用封装产品。 搭配芯片双面银烧结和DTS（Die Top System）技术，提升模块的功率密度，以及长期可靠性。内部通过电、热、力多物理场仿真手段优化的回路布局，使模块整体杂散电小于5nH。 基于SiC-MOSFET的高阻断电压、低导通电阻（小于2mΩ）、结温高达175℃、高可靠性等特点，使得此模块非常适用于高效、高功率密度应用领域。
产品主要特性
- 1、模块内部采用Cu-Clip结构连接，散热性及通流能力都大大增强，模块整体可靠性提升。
2、芯片焊接采用双面银烧结方式，烧结孔隙率都能控制的比较好，芯片焊接空洞率能达到1%左右，陶瓷基板和底板之间的焊接空洞率能控制在5%以内。3、模块采用氮化铝陶瓷基板，CTE同芯片及底板匹配更好；外壳：陶瓷外壳采用PPS材料，耐温特性好，机械强度高；灌封胶采用高耐热树脂对应芯片的工作温度范围。
4、模块回路有效面积小，内部寄生电感低，有效降低了模块的杂散电感。采用多芯片并联的内部结构，各并联主回路和驱动回路参数基本一致，最大程度保证并联芯片的均流性。5、模块内部封装有温度传感器Pt-RTD，且Pt-RTD安装在靠近芯片的模块中心位置，得到了一个紧密的热耦合，可方便精确的对模块温度进行测量。
6、具有高功率密度 、低杂散电感、高阻断电压、低导通电阻、结温可达175℃、高可靠性等优势。