参评奖项
- Top10 Power
- 技术突破奖
推荐理由
Microchip的3.3 kV碳化硅功率器件包括业界最低导通电阻为25毫欧(mOhm)的MOSFET和业界最高额定电流为90安培的SBD。这些更强的性能水平能够帮助设计人员简化设计,创建功率更高的系统,并使用更少的并联元件来实现更小、更轻和更高效的电源解决方案。
产品主要特性
- 业界最低导通电阻为25毫欧(mOhm)的MOSFET
- 业界最高额定电流为90安培的SBD
Microchip的3.3 kV碳化硅功率器件包括业界最低导通电阻为25毫欧(mOhm)的MOSFET和业界最高额定电流为90安培的SBD。这些更强的性能水平能够帮助设计人员简化设计,创建功率更高的系统,并使用更少的并联元件来实现更小、更轻和更高效的电源解决方案。