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TI 低IQ技术解析

低功耗、常开型电源:超低漏电工艺技术和新型控制拓扑,可延长电池运行时间。

快速响应时间:快速唤醒比较器和零 IQ 反馈控制可在不影响低功耗性能的情况下实现快速动态响应。

更小的外形尺寸:电阻器和电容器的面积缩减技术,有助于集成到空间受限的应用中,同时不影响静态功率。

TI 低IQ技术资源
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其他电源技术趋势:

高功率密度

产热更少:借助我们先进的器件和氮化镓技术,实现出色的器件开关性能。

热性能更好:利用先进的冷却技术(包括增强型 HotRodTM QFN 封装、电源晶圆芯片级封装和顶部散热),帮助封装体散热。

效率更高:借助多级转换器拓扑和先进的功率级栅极驱动器,使用较小的无源器件实现较高的开关频率,同时又不影响效率。

更小的系统占用空间:利用高级的多芯片模块技术,节省布板空间、简化电路板布局并降低寄生效应的影响。

低EMI

改进的滤波器尺寸和成本:先进的扩频和有源 EMI 抑制技术可降低产生的 EMI 的影响。

减少设计时间并降低设计复杂性:覆晶封装、电容器集成和先进的栅极驱动器技术可从根本上降低源极产生的噪声。

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