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TI功率密度,为您的电源设计赋能

产热更少:借助我们先进的器件和氮化镓技术,实现出色的器件开关性能。

热性能更好:利用先进的冷却技术(包括增强型 HotRod™ QFN 封装、电源晶圆芯片级封装和顶部散热),帮助封装体散热。

效率更高:借助多级转换器拓扑和先进的功率级栅极驱动器,使用较小的无源器件实现较高的开关频率,同时又不影响效率。

更小的系统占用空间:利用高级的多芯片模块技术,节省布板空间、简化电路板布局并降低寄生效应的影响。

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