InnoSwitch3配合使用一个（ ），可设计出反激式变换器。InnoSwitch3集成了高压初级MOSFET，和一个初级控制器。

现在对于反激式变换器而言，典型的问题就是在变压器当中，存在固有的（ ），因此需要使用（ ），来限制初级侧MOSFET上的（ ），以减小开关关断时的应力。

InnoSwitch4集成了高压开关，还采用了（ ），即ClampZero，它是InnoSwitch4的配套IC，二者搭配使用，可实现元件数非常少，高效率的有源箝位反激设计。

有源箝位反激设计的设计优点是能够在（ ）上以零电压开关方式操作，这使我们能够真正提高开关频率，并减小变压器的尺寸。

InnoSwitch3 PowiGaN是PI基于（ ）技术，所推出的一款隔离式反激电源IC。

氮化镓是一种新型的宽禁带半导体材料。相较于传统的硅，它拥有更高的（ ），也拥有更好 的（ ）。

提升电源的效率主要从两个方面入手：一个是通过（ ）。第二个方面是通过（ ）。

InnoSwitch3集成了开关自带的（ ），从而不需要去外置一个检测电阻。