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1、在《什么是氮化镓GaN》中，氮化镓在规格规定下的RDSON，与器件的物理尺寸相关，其RDSON的非常低的。随着物理尺寸的（），RDSON（）的幅度更大。

A、增大 降低 B、增大 降低 C、增大 提高

2、在《什么是氮化镓GaN》中，晶体管受到（）的影响，也受到并联电容的影响？

A、串联阻抗 B、电流 C、电压

3、在《氮化镓的可靠性和耐用性》中，“器件在正常工作条件下，随着时间的推移器件保持稳定性能的倾向性”描述的是下列哪种性能（）？

A、耐用性 B、稳定性 C、可靠性

4、在《氮化镓的可靠性和耐用性》中，氮化镓不具有雪崩特性，因此其实际物理击穿电压强度远远高于（）？

A、650V B、750V C、850V

5、在《氮化镓的应用》中，如果要做一个更小巧、更紧凑的USB-PD适配器，下列哪个材料/技术更适合？（）

A、硅材料 B、氮化镓 C、碳化硅

6、在《氮化镓的应用》中，目前为止，PI一直提供的是反激式开关IC产品是（）产品系列？

A、Innoswitch3 B、TinySwitch-II C、 LinkSwitch-HP

7、（多选）在《PI的氮化镓器件》中，如果不降低晶体管的速度，会造成更差的EMI，并使得引线与其他元件之间发生激励振荡，最终会产生很多（）？

A、辐射 B、传导类型的的电信号 C、干扰

8、在《PI的氮化镓器件》中，PI的InnoSwitch产品集成了驱动氮化镓的初级侧控制器和驱动同步整流的次级侧控制器，采用（）在两者之间提供满足高压绝缘要求的连接？

A、FluxLink磁耦合技术 B、传感技术 C、光耦合技术