领略英飞凌OptiMOS Source-down低压功率MOSFET,让低功耗、高性能成为现实

如今,功率MOSFET已经被广泛应用在各种开关电源产品中,其极低的功耗、极高的热性能也越来越受到大家的青睐。

但是,不创新无未来,即便功能强大的功率MOSFET也需要在不断的技术创新中蜕变。

现在,领略英飞凌OptiMOS™ 低压功率MOSFET的机会就在眼前。阅览英飞凌为大家准备的技术知识,并完成趣味游戏,即有机会获得京东卡等好礼哦!

活动时间:1月18日-2月25日

围绕 OptiMOS™ 低压功率MOSFET,英飞凌推出了“源极底置(Source Down)”的概念,它不仅是“芯片内部结构的翻转”,同时也对整个封装进行了优化。通过优化芯片内核以及转接夹片,极大地降低了导通电阻RDS(on),同时热阻RthJC也显著降低。 另外,源极底置(Source Down)技术提升了MOSFET的最大连续和脉冲漏极电流能力,使电气工程师能够显著提高产品设计的功率密度。

25V 3.3x3.3mm是整个“源极底置(Source Down)”系列投入市场的第一款产品。未来两年内英飞凌将全面发布从25V到150V的完整产品家族。这项新技术有两个不同版本的封装形式:源极底置标准版和源极底置门极居中版;后者专门针对MOSFET并联应用进行了优化。与当前的解决方案相比,源极底置Source-down具备诸多优势,例如RDS(on)更低和热性能更好。此外,通过源极底置Source-down技术可减少主动散热,并提供更有效的热管理布局。PQFN 3.3x3.3源极底置封装的OptiMOS™低压功率MOSFET系列的目标应用包括驱动器,电信,SMPS和服务器。

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工程酱们,学习完英飞凌“源极底置(Source Down)”的相关产品、文章和视频,是不是收获颇丰^_^ 为了考验大家的学习成果,英飞凌特意联合21ic策划了趣味游戏——为数据中心散热!! 赶快玩起来,还有京东卡等好礼等你哦~~

活动步骤:

第一步: 登录提交个人信息

第二步:学习英飞凌为您精心挑选的“源极底置(Source Down)”技术资料

第三步:完成下方闯关游戏

活动结束后,系统将随机挑选120位幸运用户发放30元京东卡礼品哦~

英飞凌邀您为数据中心散热

第一关:降低RDS(on)

点击产品了解详细信息

    游戏介绍

    1、查看以上3款英飞凌产品。

    2、把正确的产品拖至数据中心位置,将其降温。

    3、成功为数据中心降温后,可进入下一关。

警报

数据中心发热量大,速度慢,急需降温