如今，功率MOSFET已经被广泛应用在各种开关电源产品中，其极低的功耗、极高的热性能也越来越受到大家的青睐。
但是，不创新无未来，即便功能强大的功率MOSFET也需要在不断的技术创新中蜕变。
现在，领略英飞凌OptiMOS™ 低压功率MOSFET的机会就在眼前。阅览英飞凌为大家准备的技术知识，并完成趣味游戏，即有机会获得京东卡等好礼哦！
活动时间：1月18日-2月25日
围绕 OptiMOS™ 低压功率MOSFET，英飞凌推出了“源极底置(Source Down)”的概念，它不仅是“芯片内部结构的翻转”，同时也对整个封装进行了优化。通过优化芯片内核以及转接夹片，极大地降低了导通电阻RDS(on)，同时热阻RthJC也显著降低。 另外，源极底置(Source Down)技术提升了MOSFET的最大连续和脉冲漏极电流能力，使电气工程师能够显著提高产品设计的功率密度。
25V 3.3x3.3mm是整个“源极底置(Source Down)”系列投入市场的第一款产品。未来两年内英飞凌将全面发布从25V到150V的完整产品家族。这项新技术有两个不同版本的封装形式：源极底置标准版和源极底置门极居中版；后者专门针对MOSFET并联应用进行了优化。与当前的解决方案相比，源极底置Source-down具备诸多优势，例如RDS(on)更低和热性能更好。此外，通过源极底置Source-down技术可减少主动散热，并提供更有效的热管理布局。PQFN 3.3x3.3源极底置封装的OptiMOS™低压功率MOSFET系列的目标应用包括驱动器，电信，SMPS和服务器。
RDS(on) 最大可降低 30% (取决于具体电压等级)
I²R 损耗更低
电流能力更高
最高的功率密度及性能
性能与 Super SO8 相同，但封装尺寸更小
外形尺寸更小
优化 PCB 寄生参数
RthJA 与 RthJC 热阻降低
更好的功耗转移
支持双面散热 （夹片外露）
源极底置(Source-down)设计可轻松适应
现有 PCB
门极居中封装选项可优化用于并联操作
1、查看以上3款英飞凌产品。
2、把正确的产品拖至数据中心位置，将其降温。
3、成功为数据中心降温后，可进入下一关。
数据中心发热量大，速度慢，急需降温
威健国际分别在北京、上海、深圳设立分公司，并在成都、青岛、西安等近二十个城市设立了销售据点，代理产线近50条。 自1996年代理Infineon产品，多次荣获最佳代理伙伴和最佳FAE支持团队大奖，与Infineon建立了坚实的合作关系。 企业实力：威健国际技术支持团队效率高，工程师和销售比为1:2, 应用工程师平均有相关行业八年以上经验。在英飞凌汽车，工业，电源，消费类产品给客户提供全方面的技术服务。同时公司也有专业的AE团队，可以在软硬件方面提供参考设计，委托开发，共同开发等服务。欢迎浏览官网
英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体科技公司，我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2020财年（截止9月30日），公司的销售额达85亿欧元，在全球范围内拥有约46,700名员工。2020年4月，英飞凌正式完成了对赛普拉斯半导体公司的收购，成功跻身全球十大半导体制造商之一。 访问英飞凌官网了解更多信息
