开发套件介绍
安富利3kW AC/DC模拟电源供应器（PSU）解决方案
安富利基于安森美图腾PFC产品设计的3kW AC/DC模拟电源供应器（PSU）解决方案，采用创新的拓扑架构与控制策略，并推出SiC(碳化硅)和SiC CJFET两个版本，旨在为AI服务器、工业与电信应用提供卓越的电力转换能力，适用于工业设备、新能源、服务器等大功率应用场景。
方案优势
- 1）采用图腾PFC+半桥LLC拓扑，整机效率可满足80 Plus Ruby标准, 功率密度达到 40 W/in³。
- 2）结合NCP1681图腾柱PFC控制器与NCP4390 PWM及同步整流（SR）COMBO控制器，极大简化了电源转换流程
- 3）在230Vac（50%负载）条件下，实现高达96.9%的转换效率。
- 4）负载大于10%时其功率因子大于0.99及负载超过20%时总谐波失真（THD）小于5%，从而为设备提供稳定可靠的电力供应。
- 5）进一步降低设计复杂度、减少BOM成本
该方案按选用功率器件的不同有两个版本
A版本：SiC CJFET（碳化硅结型 FET）
特点：低开关损耗，开关速度接近 GaN，可提高轻载能效并具有成本优势。
安森美SiC cascode FET（碳化硅结型场效应晶体管） 是一种高性能、常开启型（normally-on）JFET晶体管，VDS-max范围为650V到1700V。提供高开关频率和低至4毫欧的超低导通电阻RDS (on)，所需芯片面积不到其他技术的一半。此外，低栅极电荷（Qg）得以进一步减少导通损耗和开关损耗。SiC JFET专为优化用于电源单元（PSU）和下游高压DC-DC转换，以应对未来AI数据中心机架的巨大功率需求。
B版本：EliteSiC MOSFET（碳化硅）
特点：开关损耗低，RDS(on) 温度特性稳定且可靠，适合高温应用环境。
安森美（onsemi）推出的 EliteSiC MOSFET 是一款碳化硅功率器件，具备低导通电阻、低电容和栅极电荷、-55°C 至 175°C 宽温度范围（符合 AEC-Q101 汽车标准）等特性，能降低损耗、提升效率并支持高频操作，兼具高可靠性。其电压涵盖 650V、900V、1200V、1700V，广泛应用于电动汽车、太阳能逆变器、服务器电源、工业电源等高压场景。
