白皮书:”高功率密度充电器和适配器的全 GaN 解决方案”

GaN 技术开辟了新的途径，可以满足适配器和充电器对高功率密度不断增长的需求。 虽然高压GaN开关被广泛使用，但 GaN 在次级侧的潜力尚未得到充分发挥。

在本白皮书中，您将：
• 获取有关在适配器和充电器中使用 GaN 的最新设计技巧
• 了解用作 SR 开关的 GaN 器件的优势
• 发现以下每种拓扑的优点和缺点：
o 传统的反激式
o 准谐振 (QR) 反激式
o 有源钳位反激式 (ACF)
o 混合反激式 (HFB)
• 了解英飞凌的ACF全GaN评估板