本课堂将带大家了解什么是氮化镓GaN、氮化镓的可靠性和耐用性,以及PI在氮化镓领域的优质器件。

活动时间:2021.07.16--08.02

活动流程:

1、 登录21ic账号填写详细的个人信息
2、观看视频,解答视频相关选择题,答题次数不限。
3、我们将根据答对题目的个数,来发奖品。

考试区

1、在《什么是氮化镓GaN》中,氮化镓在规格规定下的RDSON,与器件的物理尺寸相关,其RDSON的非常低的。随着物理尺寸的(),RDSON()的幅度更大。

2、在《什么是氮化镓GaN》中,晶体管受到()的影响,也受到并联电容的影响?

3、在《氮化镓的可靠性和耐用性》中,“器件在正常工作条件下,随着时间的推移器件保持稳定性能的倾向性”描述的是下列哪种性能()?

4、在《氮化镓的可靠性和耐用性》中,氮化镓不具有雪崩特性,因此其实际物理击穿电压强度远远高于()?

5、在《氮化镓的应用》中,如果要做一个更小巧、更紧凑的USB-PD适配器,下列哪个材料/技术更适合?()

6、在《氮化镓的应用》中,目前为止,PI一直提供的是反激式开关IC产品是()产品系列?

7、(多选)在《PI的氮化镓器件》中,如果不降低晶体管的速度,会造成更差的EMI,并使得引线与其他元件之间发生激励振荡,最终会产生很多()?

8、在《PI的氮化镓器件》中,PI的InnoSwitch产品集成了驱动氮化镓的初级侧控制器和驱动同步整流的次级侧控制器,采用()在两者之间提供满足高压绝缘要求的连接?