各位大大,安森美半导体Fan Club换新品啦,本期主题内容:工业及云电源方案。
金秋国庆时,安森美半导体借漫天星光,送您一份幸运。
NCP51820是行业首款用于氮化镓(GaN)功率开关的高性能、650V高压半桥门极驱动器,专为满足驱动离线、半桥电源拓扑中增强型GaN器件的严格要求而设计。它克服传统的结隔离半桥门极驱动器的限制,集成优化的GaN门极驱动器,实现基于GaN的最简单、最高性价比的方案。
AFGHL50T65SQDC混合IGBT将硅基IGBT和碳化硅(SiC)二极管共同封装,提供每种技术的优势,从而在硬开关应用中实现最佳性能。
NCD57000/1是大电流单通道IGBT驱动器,针对多种电源应用,包括太阳能逆变器、电机驱动、不间断电源系统(UPS)。
•片上隔离额定电压:5 kV
•+7.8A/-7.1Apk 的高电流驱动能力提升系统能效
•集成的保护特性确保系统安全
FSL538离线开关是极高能效和强固的800V方案,集成高压启动和检测FET,提供抗交流线路电压波动和可闻噪声的重要保护特性。
NIS5021系列eFuse是具性价比、可复位的保险丝,可极大地提高硬盘驱动器或其他电路的可靠性,避免灾难性故障和关断故障。
LV8316H是12V单相无刷直流(BLDC)电机驱动器,具有速度控制功能,它能以低振动和低噪声控制电机。它还能高效、低噪声地驱动各种电机。
NO.1
采用高精度的NCS21xR电流检测放大器实现最佳的分流电阻连接
本设计注释介绍在使用NCS21xR系列电流检测放大器时如何根据分流电阻制造商的建议实现最佳的分流电阻连接,以获得最佳性能。
NO.2
智能功率模块(IPM) SPM®31系列设计指南
IPM在一个封装模块中高度集成MOSFET和IGBT等分立功率器件、高低压驱动芯片和外围阻容器件、二极管,实现比分立方案更灵敏准确的保护功能、更简单的外围元器件设计、更简化的生产工艺和更好的散热性能。SPM®31目标应用包括工业逆变电机驱动如商用空调、通用逆变器和伺服电机等3 kW至5 kW的应用。
NO.3
零漂移精密运算放大器:斩波稳定结构的优势及限制
零漂移精密运算放大器是专用运算放大器,专为由于差分电压小而需要高输出精度的应用设计,具有低输入失调电压、高共模抑制比(CMRR)、高电源抑制比(PSRR)、高开环增益和低漂移。
NO.4
SiC MOSFET:门极驱动优化
重点介绍与SiC MOSFET相关的独特的器件特性、优化门极驱动设计从而优化SiC开关性能的关键设计要求,以及系统级考量如启动、故障保护、稳态开关等。
NO.5
四通道MOSFET方案替代二极管桥方案显著提高PoE能效
以太网供电(PoE)使用新的IEEE802.3bt标准,可提供高达90W的功率和互联到新的应用,并简化网络拓扑,提供更强固的“即插即用”用户体验。安森美半导体的GreenBridge™四通道MOSFET系列为PoE应用中的二极管桥提供更有效的替代方案,解决功率、功能、尺寸等问题,显著提升系统能效,降低工作温度。
NO.6
高能效、紧凑的60 W有源钳位反激(ACF)USB-PD 笔记本电脑适配器设计注释
创新的有源钳位反激(ACF)拓扑,有利于降低损耗,且零电压开关(ZVS)适用于高频应用,大幅缩减器件尺寸,从而实现高能效、高密度并兼容USB供电(USB-PD)。
了解关于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)下一代高性能电源转换及电机控制材料的更多基础知识。
介绍Q0、Q1和Q2系列电源模块,用于额定功率超过100 kVA的太阳能逆变器,搭配NCD系列非隔离型大电流IGBT驱动器使用,以实现较低的开关损耗。
展示安森美半导体的云电源方案概览
看看使用我们完整方案的模拟太阳能家居。我们的升压和逆变功率集成模块锚定太阳能供电系统,加上我们的门极驱动、感知、控制和外围电源产品使系统完整。
eFuse是各种各样的、高性价比的、可复位的保险丝,用于许多工业应用。观看并联的NIS5021在短路和热插拔情况下的现场演示。
全新的Strata Developer Studio™是个创新的、行业首创的云联接平台。设计人员只需下载Strata软件和插入支持Strata的硬件到主电脑,就可用更快、更简单的方式用评估板和参考设计来工作,直接在桌面电脑提供最新的设计文档和支援。
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